測(cè)量原理 產(chǎn)品利用單晶硅的壓陰效應(yīng)來進(jìn)行測(cè)星,采用全焊接一體式充油工藝,內(nèi)部使用單晶硅片作為彈性元件,在單最硅膜片上利用集成電路的工藝,在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻,并將電阻接成橋路,單品硅片置于傳感器腔內(nèi)。當(dāng)壓力發(fā)生變化時(shí),單品硅產(chǎn)生應(yīng)變,使直接擴(kuò)散在上而的應(yīng)變電阻產(chǎn)生與被測(cè)壓力成比例的變化,再由橋式電路獲得相應(yīng)的電壓輸出信號(hào)。近年來隨著國(guó)內(nèi)單品硅傳感器工藝不斷發(fā)展與成熟,已基本替代原有的電容式傳感器在這一領(lǐng)域的應(yīng)用。
壓力、差壓、絕壓、高靜壓型差壓;應(yīng)用場(chǎng)景
防爆:本安(需和輸入型的安全柵配合使用)、隔爆;
高精度、穩(wěn)定性好;
抗震性好、無機(jī)械可動(dòng)部件;
雙過載保護(hù),單向過壓可達(dá)40MPa;
具有PV清零功能,菜單豐富,可以設(shè)置各項(xiàng)參數(shù);
支持HART通信協(xié)議;
穩(wěn)定的背光顯示,讓讀表更輕松;
安裝支架:管裝彎支架、板裝彎支架、管裝平支架;外殼材質(zhì):鋁(常規(guī))、不銹鋼。
技術(shù)參數(shù)適用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的壓力、液位、差壓、節(jié)流裝置配套測(cè)流等場(chǎng)合使用,根據(jù)介質(zhì)的溫度、壓力、腐蝕性、防爆要求、安全要求、測(cè)量范圍等各型工況條件選擇各型產(chǎn)品。